關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件在重載時(shí)溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析：一、測(cè)試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)（據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)......