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片內多端口寄存器
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本發明屬于集成電路技術領域,具體為一種多端口寄存器堆存儲單元.本發明的存儲單元由8個NMOS管和2個PMOS管構成,其中,4個NMOS管和2個PMOS管構成耦合反相器,用于存儲數據,另外4個NMOS管為讀寫晶體管,其布局布線方式為:對應于所述寄存器堆存儲單元的具有N阱,多晶硅層,有源區層,CT和M1的版圖;該寄存器堆單元具有上下對稱和左右對稱的結構;耦合反相器的6個晶體管采用2條多晶硅柵,極大地減小了由于制造偏差引起的晶體管的不對稱,增加了噪聲容限;兩個PMOS管共用漏端有源區,四個NMOS管和四個寫晶體管共用源端有源區,減小了通孔數目,極大地縮小了單元的面積.

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2021-07-26
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