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功率MOSFET
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H20R1202功率MOSFET管介紹
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H20R1202是一款高性能功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），具有優(yōu)異的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻特性，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他高功率應(yīng)用場(chǎng)景中。本篇文章將對(duì)H20R1202功率MOSFET管進(jìn)行詳細(xì)介紹，包括其工作原理、技術(shù)......
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2024-12-27
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AOS AON3806 功率MOSFET介紹
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AOS AON3806 功率MOSFET介紹引言AOS（Alpha & Omega Semiconductor）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，專注于功率管理與控制解決方案。公司推出的AON3806是其一款應(yīng)用廣泛的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）......
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2024-12-04
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AON3818 功率MOSFET介紹一、AON3818概述AON3818是一款由AOS（Alpha and Omega Semiconductor）公司推出的N溝道功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。作為一款低壓、高效率的功率MOSFET，AON3818廣......
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BTS724G是一款由德國(guó)博世（Bosch）公司生產(chǎn)的功率MOSFET開關(guān)，廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備以及其他需要高效電源管理的領(lǐng)域。這款器件設(shè)計(jì)用于提供高效、可靠的開關(guān)控制功能，特別適用于負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用中。在本文中，我們將詳細(xì)介紹BTS724G功率MOSFET開關(guān)的常見型號(hào)、技術(shù)參數(shù)、工作原理、主要特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其在實(shí)際......
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2024-11-27
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什么是bss138 N通道功率MOSFET晶體管？
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BSS138 N通道功率MOSFET晶體管詳解一、概述BSS138 是一種 N 通道增強(qiáng)型 MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于低功率開關(guān)電路和小信號(hào)放大器。其全名為 BSS138 N-channel MOSFET，由于其較高的開關(guān)速度、較低的導(dǎo)通電阻以及出色的熱穩(wěn)定性，在各種電子應(yīng)用中得到了廣泛使用。以下將詳細(xì)介紹 BSS138 的......
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2024-09-09
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什么是bts724g 4通道高壓側(cè)垂直功率MOSFET開關(guān)？
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什么是BTS724G？BTS724G是一款高壓側(cè)垂直功率MOSFET開關(guān)，屬于汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率管理和控制元件。該器件具有四個(gè)通道，可以在高壓和高電流的條件下可靠地控制負(fù)載，廣泛應(yīng)用于汽車電子、智能家居和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。通過集成多個(gè)開關(guān)通道，BTS724G能夠?qū)崿F(xiàn)更小的封裝尺寸和更高的系統(tǒng)集成度，從而降低設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本。常見型號(hào)......
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2024-09-03
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臺(tái)積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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臺(tái)積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術(shù)構(gòu)建的250V低壓?jiǎn)闻渲肕OSFET。該MOSFET具有22A連續(xù)漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS......
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2024-03-25
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onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度傳感功能，適用于48V輕度混合動(dòng)力汽車應(yīng)用。該2相功率MOSFET模塊采用直接鍵合銅(DBC)襯底進(jìn)行電隔離，以實(shí)現(xiàn)低Rthjc。NXV08H350XT1模塊設(shè)計(jì)緊湊，模塊總電阻低，系統(tǒng)設(shè)計(jì)小巧、高效、可靠，降低了車輛油耗和CO(2......
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2024-03-07
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onsemi NTMFS005P03P8Z單p通道功率MOSFET是功率負(fù)載開關(guān)，電池管理和保護(hù)(反向電流，過壓和反向負(fù)電壓)的理想選擇。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C結(jié)溫范圍內(nèi)工作，提供-30V漏源電壓，10V導(dǎo)通電阻2.7毫歐和164A漏源/待機(jī)電流。onsemi NTMFS005P03P8Z封裝在5mm x ......
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2024-03-07
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續(xù)漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小......
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2024-03-05
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onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
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2024-03-05
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2024-03-04
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
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2024-03-04
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認(rèn)證，支持ppap。該M......
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2024-03-04
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onsemi NVBLS0D8N08X單n溝道功率mosfet封裝在5mm x 6mm平面引線封裝中，便于高效設(shè)計(jì)。onsemi NVBLS0D8N08X mosfet具有可濕性側(cè)面選項(xiàng)，用于增強(qiáng)光學(xué)檢查，確保質(zhì)量控制。mosfet通過AEC-Q101認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。特性占地面積小(5mm x 6mm)低R (DS(上))低QG和電......
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2024-02-28
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實(shí)現(xiàn)了緊湊高效的設(shè)計(jì)，同時(shí)確保了高熱性能。mosfet通過AEC-Q101認(rèn)證，并具備PPAP能力，可用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。特性低R (DS(上))低QG和電容通過AE......
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2024-02-28
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗。特性低QG和電容低......
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2024-02-28
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N雙N-Ch功率mosfet具有較低的RDS(on)、柵極閾值和輸入電容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源電壓和295A最大連續(xù)漏極電流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101認(rèn)證和PPAP功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性......
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2024-01-30
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NTMYS003N n溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和電容，80V漏源電壓，±20V柵源電壓，-55°C至175°C工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍。NTMYS003N n溝道功率MOSFET無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括......
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2024-01-29
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YAGEO XSemi N溝道和p溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種使用金屬氧化物柵極的電壓控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也稱為功率晶體管)具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，適用于各種應(yīng)用，包括模擬和數(shù)字電路。可用的封裝廣泛用于商業(yè)和工業(yè)表面貼裝應(yīng)用。與bjt不同，mosfet與載流通道是電隔離的，有助于降低器件的功耗。mosfet......
Yage... XSem... MOSF...
2024-01-29
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