ROHM（羅姆）開發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”是一款具有顯著技術(shù)突破和性能提升的產(chǎn)品。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述ROHM推出的“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品，包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR等型號(hào)，均符合汽......

Nexperia（安世半導(dǎo)體）確實(shí)計(jì)劃在2021年和2022年投資7億美元以提高產(chǎn)能。以下是對該投資計(jì)劃的詳細(xì)分析：一、投資背景與目的Nexperia作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，面對全球半導(dǎo)體市場需求的持續(xù)增長，決定擴(kuò)大其生產(chǎn)規(guī)模以滿足市場需求。該投資計(jì)劃旨在提高其歐洲晶圓廠、亞洲封裝測試工廠以及全球研發(fā)基地的制造能力，并加強(qiáng)在氮化鎵（Ga......

比亞迪半導(dǎo)體：西安研發(fā)中心即將啟用，并計(jì)劃發(fā)布IGBT6.0芯片比亞迪半導(dǎo)體，作為比亞迪集團(tuán)的全資子公司，近年來在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)展。為了進(jìn)一步提升產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)實(shí)力，比亞迪半導(dǎo)體決定在西安啟用全新的研發(fā)中心，并計(jì)劃在此發(fā)布其全新的IGBT6.0芯片。一、西安研發(fā)中心的啟用比亞迪半導(dǎo)體在全國擁有五大研發(fā)及生產(chǎn)制造基地，分別是深圳、......

為擴(kuò)大碳化硅（SiC）供應(yīng)量，英飛凌與昭和電工（現(xiàn)名為Resonac Corporation）確實(shí)達(dá)成了合作。以下是對這一合作的詳細(xì)分析：一、合作背景英飛凌的需求：英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，對碳化硅材料的需求持續(xù)增長，特別是在汽車、太陽能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用和儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。昭和電工的供應(yīng)能力：昭和電工（Resonac）在碳化硅材料領(lǐng)......

關(guān)于博世砸12億美元建車用芯片工廠，并計(jì)劃年底量產(chǎn)傳感器芯片的事件，以下是對此事件的詳細(xì)歸納：一、事件背景德國博世集團(tuán)作為全球領(lǐng)先的汽車零部件及傳感器生產(chǎn)商，為了應(yīng)對車用芯片市場的短缺和滿足未來電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力車對傳感器芯片的需求，決定投資12億美元（約10億歐元）建設(shè)一座車用芯片工廠。二、工廠建設(shè)情況投資規(guī)模：博世集團(tuán)計(jì)劃投資12億美......

聞泰科技“12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓制造項(xiàng)目”正式開工的相關(guān)信息可以歸納如下：一、項(xiàng)目背景與意義項(xiàng)目名稱：聞泰科技12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓制造項(xiàng)目總投資：120億元人民幣意義：該項(xiàng)目是中國第一座12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心項(xiàng)目，對臨港新片區(qū)建設(shè)世界級(jí)的電動(dòng)汽車全產(chǎn)業(yè)鏈具有重要意義。同時(shí)，該項(xiàng)目也是聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)......

電裝新型高質(zhì)量SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體確實(shí)賦予了豐田Mirai更高性能。以下是對這一技術(shù)的詳細(xì)分析：一、技術(shù)背景SiC材料特性：SiC是一種在高溫、高頻和高壓環(huán)境下具有卓越性能的半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，SiC能顯著減少系統(tǒng)的功耗、尺寸和重量，并加速電氣化。電裝與豐田的合作：電裝和豐田在半導(dǎo)體技術(shù)方面一直有著深度的合作。從19......

功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一，它能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。近年來，隨著新能源汽車、新能源發(fā)電、變頻家電等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的市場需求日益增長，成為了芯片國產(chǎn)替代的黃金賽道。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)......

GaN Systems與安森美半導(dǎo)體確實(shí)合作推出了100V GaN半橋評估板，以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述該100V GaN半橋評估板（如GS-EVB-HB-61008P-ON）是專為現(xiàn)有和全新的PCB設(shè)計(jì)而開發(fā)的，它使得電力電子設(shè)計(jì)人員能夠輕松評估GaN在應(yīng)對不斷增長的48V市場應(yīng)用中的表現(xiàn)。這些應(yīng)用包括但不限于非隔離降壓轉(zhuǎn)換......

SiC（碳化硅）助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局，這一趨勢主要源于SiC材料在高溫、高頻、高功率密度等領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢，其影響體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 結(jié)溫提升對系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心影響結(jié)溫從150℃邁向200℃+：傳統(tǒng)硅基功率器件的結(jié)溫通常限制在150℃以下，而SiC器件憑借其優(yōu)異的熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性，可將結(jié)溫提升......

SiC（碳化硅）之所以被稱為新一代功率半導(dǎo)體，主要源于其在材料特性、器件性能和應(yīng)用場景上的革命性突破。以下從多個(gè)維度展開分析：一、材料特性優(yōu)勢：SiC vs 傳統(tǒng)Si（硅）禁帶寬度更寬SiC禁帶寬度為3.26 eV，是Si（1.12 eV）的近3倍。優(yōu)勢：耐高溫性能更強(qiáng)（SiC器件可在600℃以上工作，Si器件僅限200℃以下），減少散熱......

GaN（氮化鎵）是第三代半導(dǎo)體材料，繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料，第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的新型材料。英文全稱Gallium nitride，特性是帶隙寬（室溫下，Eg=3.4eV）、導(dǎo)熱率高、硬度很高、抗輻照能力強(qiáng)、擊穿能力出色、耐高溫、化學(xué)性能穩(wěn)定等。更適合用于制造光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件，在5G、消費(fèi)類......

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司(”isc“）按照國際標(biāo)準(zhǔn)制造和提供功率半導(dǎo)體器件，主要產(chǎn)品有雙極型晶體管BJT、場效應(yīng)晶體管MOSFET、可控硅Thyristor、肖特基整流二極管、快恢復(fù)二極管、高功率晶閘管和整流管及模塊、射頻小信號(hào)晶體管RF Transistor、穩(wěn)壓集成電路等。公司的功率半導(dǎo)體事業(yè)始于1991年，二十八年來堅(jiān)持追求高......

恒芯半導(dǎo)體目前產(chǎn)品種類超過三十多種封裝形式和一千多種型號(hào)，產(chǎn)品主要有：整流二極管、高效整流管、快恢復(fù)整流管、超快恢復(fù)整流管、肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬變電壓抑制二極管、橋式整流器、碳化硅肖特基、碳化硅MOS管、超結(jié)MOS管、高壓MOS管、中壓MOS管、低壓MOS管、單向可控硅、雙向可控硅等等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于充電器、適配器、智能插排、鋰電......