英飛凌IRLML6401TRPBF MOS管詳細資料

英飛凌IRLML6401TRPBF是一種N溝道增強型MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，具體型號IRLML6401TRPBF中的每個部分都有其特定的含義：

• IRL：表示其屬于英飛凌生產的低壓MOSFET系列；

• M：表示其封裝類型為Micro-8封裝；

• L6401：特定型號編號；

• TRPBF：表示產品為無鉛版本（PBF），且為卷帶包裝（TR）。

廠商名稱：英飛凌

元件分類：MOS管

中文描述： 英飛凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P溝道,Si,Vds=12 V,4.3 A,3引腳微型封裝

英文描述： Power Field-Effect Transistor,4.3A I(D),12V,0.05ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,LEAD FREE,MICRO-3

數據手冊：http://www.chaochaye.com/data/k02-24421989-IRLML6401TRPBF.html

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IRLML6401TRPBF中文參數

IRLML6401TRPBF概述

英飛凌IRLML6401TRPBF是一款-12V單P溝道HEXFET功率MOSFET,與現有表面安裝技術兼容.該MOSFET具有更高的可靠性,易于制造.

無鹵素

MSL1,工業認證

兼容多個供應商

環保型

溝道MOSFET技術

±8V柵-源電壓

0.01W/°C線性降額因子

應用范圍

電源管理

IRLML6401TRPBF引腳圖

工作原理

MOSFET的工作原理基于電場效應。IRLML6401TRPBF作為N溝道MOSFET，其基本工作原理如下：

1. 柵極控制： 柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流動。當施加正的柵極電壓（相對于源極）時，會在半導體材料表面形成一個反型層，從而在源極和漏極之間形成一條導電溝道。

2. 導通狀態： 當柵極電壓高于閾值電壓時，導電溝道形成，電流可以從漏極流向源極，MOSFET進入導通狀態。

3. 截止狀態： 當柵極電壓低于閾值電壓時，導電溝道消失，MOSFET進入截止狀態，沒有電流通過漏源極。

特點

IRLML6401TRPBF MOSFET具備以下幾個主要特點：

1. 低導通電阻 (Rds(on))： 其導通電阻非常低，通常在幾毫歐姆范圍內。這有助于降低功耗，提高效率。

2. 快速開關速度： 由于其柵極電荷較小，能夠實現快速的開關速度，非常適合高速開關應用。

3. 高可靠性： 采用先進的制造工藝和材料，具備高可靠性和長壽命。

4. 低閾值電壓： 閾值電壓較低，使其能夠在較低的柵極電壓下工作，有利于低壓電路的設計。

5. 小封裝： Micro-8封裝體積小，適合空間受限的應用場景。

應用

IRLML6401TRPBF廣泛應用于各種電子設備中，尤其是需要高效率和小體積的場合。以下是一些常見應用領域：

1. DC-DC轉換器： 由于其低導通電阻和快速開關特性，非常適合用于DC-DC轉換器中，能夠提高轉換效率。

2. 電池管理系統： 在電池充放電管理中，可以用于控制電流路徑，提升系統的整體效率。

3. 電源開關： 在電源管理中作為主開關管，能夠高效地控制電源的開關。

4. 便攜式設備： 由于其小封裝和高效能，廣泛應用于手機、平板電腦等便攜式設備中。

5. 負載開關： 在各種負載開關應用中，通過控制大電流負載，實現低功耗和高效率的切換。

參數

了解IRLML6401TRPBF的詳細參數對設計和應用非常重要。以下是其主要技術參數：

1. 最大漏極-源極電壓 (Vds)： 20V

2. 最大柵極-源極電壓 (Vgs)： ±12V

3. 連續漏極電流 (Id)： 3.7A（在25°C時）

4. 脈沖漏極電流 (Idm)： 30A

5. 導通電阻 (Rds(on))： 25mΩ（Vgs = 4.5V時），35mΩ（Vgs = 2.5V時）

6. 柵極電荷 (Qg)： 8.3nC（典型值）

7. 輸入電容 (Ciss)： 540pF（典型值）

8. 閾值電壓 (Vgs(th))： 1V（最小），2V（最大）

9. 功率耗散 (Pd)： 1.25W（在25°C時）

這些參數展示了IRLML6401TRPBF在性能和可靠性方面的優勢，是設計高效電源管理和切換電路的理想選擇。

總結

英飛凌IRLML6401TRPBF是一款高性能N溝道MOSFET，憑借其低導通電阻、快速開關速度和高可靠性，在多種電子應用中發揮重要作用。其小封裝和高效率特點使其特別適用于便攜式設備和空間受限的應用場景。通過詳細了解其工作原理、特點和技術參數，可以更好地在實際設計中發揮其優勢，提高電子系統的整體性能和可靠性。