鐵電存儲器（FRAM）最大的缺點可以從多個維度來考量，以下是對其幾個顯著缺點的分析：

一、微縮能力差

鐵電存儲器的最大物理限制之一是難以微縮到納米級工藝。這意味著隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，其他類型的存儲器（如DRAM和Flash）能夠不斷縮小尺寸并增加存儲密度，而鐵電存儲器在尺寸減小方面卻面臨較大的困難。這限制了鐵電存儲器在需要高密度存儲的應(yīng)用中的使用。

二、材料限制

目前主流的鐵電材料，如PZT（鋯鈦酸鉛）和SBT（鉭酸鍶鉍），都存在一些缺點。PZT雖然原材料便宜、晶化溫度較低且工藝集成較容易，但存在疲勞退化問題，且鉛元素對環(huán)境造成污染。SBT雖然環(huán)保且無疲勞退化問題，但其制作工藝溫度較高，工藝集成難度很大。這些材料限制影響了鐵電存儲器的性能和可靠性。

三、壽命相對較短

鐵電存儲器的存儲單元會受到極性翻轉(zhuǎn)的影響，隨著時間的推移逐漸衰減。這導致其平均故障時間（MTBF）可能不如其他類型的存儲器。此外，鐵電材料的極化方向也可能在使用中發(fā)生變化，導致數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定性和完整性問題。這限制了鐵電存儲器在需要長期穩(wěn)定運行的應(yīng)用中的可靠性。

四、制造成本高

鐵電存儲器的制造技術(shù)相對復(fù)雜，包括鐵電薄膜的制備和器件加工等多個環(huán)節(jié)。這些工藝需要高精度的設(shè)備和材料，導致生產(chǎn)成本相對較高。這限制了鐵電存儲器在市場上的競爭力和普及程度。

綜上所述，鐵電存儲器最大的缺點包括微縮能力差、材料限制、壽命相對較短以及制造成本高。這些因素共同影響了鐵電存儲器在市場上的應(yīng)用和發(fā)展。然而，隨著技術(shù)的不斷進步和研發(fā)工作的深入，未來有望克服這些缺點并推動鐵電存儲器的進一步發(fā)展。