原標題：Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續擴充寬禁帶半導體產品

Nexperia（安世半導體）作為基礎半導體元器件領域的專家，一直在不斷推出創新產品以滿足市場需求。關于Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，并繼續擴充寬禁帶半導體產品的情況，可以總結如下：

一、推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

1. 產品特點

• Nexperia推出的全新高性能SiC二極管系列，以其卓越的性能和高效能特點著稱。這些二極管具有出色的抗浪涌電流能力、更低的正向壓降以及更高的可靠性。

• 這些二極管采用了先進的“薄型SiC”技術，使得襯底更薄，從而降低了從結到背面金屬的熱阻，帶來了更低的工作溫度、更長的設備壽命以及更強的抗浪涌電流能力。

2. 產品規格

• Nexperia的SiC二極管系列包括多款產品，其中650V、10A的SiC肖特基二極管是其中的佼佼者。這款二極管采用了真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動汽車和其他汽車中的多種應用。

• 此外，Nexperia還提供了采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封裝的額定電流為6A、16A和20A的工業級器件，以滿足不同設計需求。

3. 市場應用

• Nexperia的SiC二極管系列廣泛應用于各種高功率應用，包括開關模式電源(SMPS)、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、電機驅動器、不間斷電源(UPS)以及用于可持續能源生產的光伏逆變器等。

• 隨著電動汽車市場的快速增長，Nexperia的SiC二極管也逐漸成為車輛電氣化應用中的重要組成部分，如車載充電器(OBC)、逆變器和高壓DC-DC轉換器等。

二、繼續擴充寬禁帶半導體產品

1. 投資計劃

• Nexperia計劃在漢堡投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品（WBG），如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。這一舉措旨在滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求。

• 同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能也將會增加。這一投資將在未來兩年內完成，并幫助實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化和硅產能的擴大。

2. 產品研發

• Nexperia已經在SiC和GaN領域取得了顯著進展，并計劃在未來推出更多創新產品。這些寬禁帶半導體產品將使數據中心等高功率應用能夠以出色的效率運行，并成為可再生能源應用和電動汽車的核心構件。

• Nexperia還計劃與大學和研究機構密切合作，共同推動寬禁帶半導體技術的研發和應用。這些合作將確保Nexperia產品實現持續創新并在技術上具有出色表現。

綜上所述，Nexperia通過推出全新高性能SiC二極管系列并繼續擴充寬禁帶半導體產品組合，不僅鞏固了其在半導體行業的領先地位，也為全球客戶提供了更多選擇和便利性。隨著技術的不斷進步和市場需求的持續增長，Nexperia將繼續致力于創新和發展以滿足未來挑戰。