原標(biāo)題：宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出的EPC2215和EPC2207兩款新一代200 V氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET），在性能、尺寸和成本上實(shí)現(xiàn)了顯著突破，為高功率密度、高頻及高效能應(yīng)用提供了理想解決方案。以下是對這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)分析：

一、核心性能優(yōu)勢

1. 超低導(dǎo)通電阻與高電流能力

• EPC2215：導(dǎo)通電阻僅8 mΩ，脈沖電流額定值達(dá)162 A，適合高電流應(yīng)用場景。

• EPC2207：導(dǎo)通電阻為22 mΩ，脈沖電流額定值54 A，平衡了性能與成本。

• 對比硅器件：EPC2215的導(dǎo)通電阻較基準(zhǔn)硅MOSFET降低33%，且尺寸縮小15倍；柵極電荷（QG）減少10倍，無反向恢復(fù)電荷（QRR），顯著降低開關(guān)損耗。

2. 高頻開關(guān)性能

• 氮化鎵（GaN）材料特性使其開關(guān)頻率可達(dá)MHz級，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅MOSFET的kHz級，適用于高頻DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流等場景。

• 結(jié)合EPC的芯片級封裝技術(shù)，寄生電感極低，進(jìn)一步優(yōu)化高頻性能。

3. 小型化設(shè)計

• 兩款器件尺寸較前代200 V eGaN器件縮小約50%，EPC2215采用微型封裝，節(jié)省PCB空間，適合高密度布局需求。

二、應(yīng)用場景

1. 48 V電力系統(tǒng)

• 同步整流：在48 V OUT DC/DC轉(zhuǎn)換器中，eGaN FET的低導(dǎo)通電阻和高頻特性可提升效率至98%以上，減少發(fā)熱，延長系統(tǒng)壽命。

• 電機(jī)驅(qū)動：適用于電動出行（如電動自行車、無人機(jī)）的32V/48V BLDC電機(jī)驅(qū)動器，實(shí)現(xiàn)更緊湊、高效的設(shè)計。

2. 激光雷達(dá)（LiDAR）與光學(xué)遙感

• EPC2207的低電容和快速開關(guān)特性，使其成為工業(yè)激光雷達(dá)/ToF應(yīng)用的理想選擇，支持高分辨率、低成本解決方案。

3. 高頻功率轉(zhuǎn)換

• 包括多電平高壓AC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽能微型逆變器、D類音頻放大器等，需高頻、高效、小尺寸功率器件的場景。

三、技術(shù)突破與市場影響

1. 性能與成本的平衡

• EPC通過材料創(chuàng)新與封裝優(yōu)化，將新一代eGaN FET的成本控制在與傳統(tǒng)硅MOSFET相近水平，加速氮化鎵對硅器件的替代進(jìn)程。

• EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“氮化鎵器件替代功率MOSFET的趨勢日益明顯，新一代eGaN FET在更小尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高性能，且成本相當(dāng)。”

2. 生態(tài)支持與開發(fā)便利性

• EPC提供配套開發(fā)板（如EPC9052、EPC9053），支持高頻（達(dá)30 MHz）評估，簡化設(shè)計流程，縮短產(chǎn)品上市時間。

• 與ADI等廠商合作推出參考設(shè)計（如EPC9160），結(jié)合模擬控制器與eGaN FET，實(shí)現(xiàn)2 MHz開關(guān)頻率的DC/DC轉(zhuǎn)換，功率密度和效率顯著提升。

3. 市場定位精準(zhǔn)

• 聚焦高功率密度、高頻、高效能需求，覆蓋電動出行、工業(yè)自動化、通信電源等細(xì)分市場，與硅器件形成差異化競爭。

四、行業(yè)評價

• 得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校教授Alex Huang評價：“氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)越特性使得轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度、超高效率和低諧波失真。”

• 市場趨勢：隨著電動出行、數(shù)據(jù)中心、5G等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高頻、高效功率器件的需求激增，EPC的新一代eGaN FET有望在這些市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。